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Catégorie :Category: nCreator TI-Nspire
Auteur Author: calets
Type : Classeur 3.0.1
Page(s) : 1
Taille Size: 2.39 Ko KB
Mis en ligne Uploaded: 03/07/2025 - 22:22:29
Uploadeur Uploader: calets (Profil)
Téléchargements Downloads: 2
Visibilité Visibility: Archive publique
Shortlink : https://tipla.net/a4781439
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Description
Fichier Nspire généré sur TI-Planet.org.
Compatible OS 3.0 et ultérieurs.
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Abschnitt BJT Wenn der DCKollektorstrom (BiasingStrom) in einer Emitterschaltung erhöht wird, so erhöht sich die ACKleinsignalspannungsverstärkung. Antwort: Wahr In einer auf einem PCB realisierten Transistorschaltung kann ein npnBJT durch einen pnpBJT ersetzt werden. Antwort: Falsch Ein BJT im aktiven Bereich wird am besten als Spannungsgesteuerte Stromquelle modelliert. Antwort: Wahr Damit ein BJT im aktiven Bereich arbeitet, müssen die BasisEmitter und BasisKollektorSperrschichten im Durchlass polarisiert sein. Antwort: Falsch Der EarlyEffekt beschreibt die leichte Abhängigkeit von Ic gegenüber Uce und wird durch einen endlichen Ausgangswiderstand modelliert. Antwort: Wahr Wenn der DCBasisStrom in einer Emitterschaltung verkleinert wird, erhöht sich der ACKleinsignaleingangswiderstand. Antwort: Wahr Die Emitterschaltung hat sehr gute Verstärkungseigenschaften (Spannung, Strom, Leistung) und ist daher für viele Anwendungen geeignet. Antwort: Wahr Damit ein npnBJT im aktiven Bereich arbeitet, muss die KollektorEmitterSpannung größer als 0,2 V sein; andernfalls ist der BJT in Sättigung. Antwort: Wahr Ein ACKleinsignalSpannungsverstärker mit einem npnBJT in Emitterschaltung hat eine Phasendrehung von 180°; das ist nicht der Fall bei einem pnpBJT in Emitterschaltung. Antwort: Falsch Die untenstehende Schaltung ist eine Kollektorschaltung (CommonCollector). Antwort: Wahr Abschnitt MOSFET Bei der GateSchaltung (CommonGate) ist der SourceStrom der Eingangsstrom des MOSFETs und der DrainStrom der Ausgangsstrom; die Stromverstärkung ist ungefähr 1. Antwort: Wahr Damit ein nKanalMOSFET im aktiven Bereich arbeitet, müssen VGS und VDS größer sein als die pinchoff Spannung. Antwort: Wahr Ein Kleinsignalverstärker mit einem nKanalMOSFET in SourceSchaltung hat generell einen größeren Eingangswiderstand als ein Verstärker mit npnBJT in Emitterschaltung. Antwort: Wahr Der EarlyEffekt beschreibt bei MOSFETs die Abhängigkeit von Id gegenüber VDS (Kanallängenmodulation) und wird mit der Kenngröße » modelliert. Antwort: Wahr Ein MOSFET im aktiven Bereich wird am besten als Spannungsgesteuerte Stromquelle modelliert. Antwort: Wahr Bei der DrainSchaltung (CommonDrain / SourceFollower) ist die GateSpannung die Eingangsspannung und die SourceSpannung die Ausgangsspannung; die Spannungsverstärkung ist ungefähr 1. Antwort: Wahr Die DrainSchaltung ist am besten als Verstärker für Lasten mit kleinem Innenwiderstand geeignet. Antwort: Wahr Die SourceSchaltung besitzt die besten Verstärkungseigenschaften (Spannung, Strom, Leistung) und eignet sich daher für viele Anwendungen. Antwort: Wahr Ein ACKleinsignalSpannungsverstärker mit einem nKanalMOSFET in SourceSchaltung hat eine Phasendrehung von 180°; das ist nicht der Fall bei einem pKanalMOSFET in SourceSchaltung. Antwort: Falsch In einer gegebenen Schaltung kann ein nKanalMOSFET durch einen pKanalMOSFET ersetzt werden. Antwort: Falsch Made with nCreator - tiplanet.org
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Abschnitt BJT Wenn der DCKollektorstrom (BiasingStrom) in einer Emitterschaltung erhöht wird, so erhöht sich die ACKleinsignalspannungsverstärkung. Antwort: Wahr In einer auf einem PCB realisierten Transistorschaltung kann ein npnBJT durch einen pnpBJT ersetzt werden. Antwort: Falsch Ein BJT im aktiven Bereich wird am besten als Spannungsgesteuerte Stromquelle modelliert. Antwort: Wahr Damit ein BJT im aktiven Bereich arbeitet, müssen die BasisEmitter und BasisKollektorSperrschichten im Durchlass polarisiert sein. Antwort: Falsch Der EarlyEffekt beschreibt die leichte Abhängigkeit von Ic gegenüber Uce und wird durch einen endlichen Ausgangswiderstand modelliert. Antwort: Wahr Wenn der DCBasisStrom in einer Emitterschaltung verkleinert wird, erhöht sich der ACKleinsignaleingangswiderstand. Antwort: Wahr Die Emitterschaltung hat sehr gute Verstärkungseigenschaften (Spannung, Strom, Leistung) und ist daher für viele Anwendungen geeignet. Antwort: Wahr Damit ein npnBJT im aktiven Bereich arbeitet, muss die KollektorEmitterSpannung größer als 0,2 V sein; andernfalls ist der BJT in Sättigung. Antwort: Wahr Ein ACKleinsignalSpannungsverstärker mit einem npnBJT in Emitterschaltung hat eine Phasendrehung von 180°; das ist nicht der Fall bei einem pnpBJT in Emitterschaltung. Antwort: Falsch Die untenstehende Schaltung ist eine Kollektorschaltung (CommonCollector). Antwort: Wahr Abschnitt MOSFET Bei der GateSchaltung (CommonGate) ist der SourceStrom der Eingangsstrom des MOSFETs und der DrainStrom der Ausgangsstrom; die Stromverstärkung ist ungefähr 1. Antwort: Wahr Damit ein nKanalMOSFET im aktiven Bereich arbeitet, müssen VGS und VDS größer sein als die pinchoff Spannung. Antwort: Wahr Ein Kleinsignalverstärker mit einem nKanalMOSFET in SourceSchaltung hat generell einen größeren Eingangswiderstand als ein Verstärker mit npnBJT in Emitterschaltung. Antwort: Wahr Der EarlyEffekt beschreibt bei MOSFETs die Abhängigkeit von Id gegenüber VDS (Kanallängenmodulation) und wird mit der Kenngröße » modelliert. Antwort: Wahr Ein MOSFET im aktiven Bereich wird am besten als Spannungsgesteuerte Stromquelle modelliert. Antwort: Wahr Bei der DrainSchaltung (CommonDrain / SourceFollower) ist die GateSpannung die Eingangsspannung und die SourceSpannung die Ausgangsspannung; die Spannungsverstärkung ist ungefähr 1. Antwort: Wahr Die DrainSchaltung ist am besten als Verstärker für Lasten mit kleinem Innenwiderstand geeignet. Antwort: Wahr Die SourceSchaltung besitzt die besten Verstärkungseigenschaften (Spannung, Strom, Leistung) und eignet sich daher für viele Anwendungen. Antwort: Wahr Ein ACKleinsignalSpannungsverstärker mit einem nKanalMOSFET in SourceSchaltung hat eine Phasendrehung von 180°; das ist nicht der Fall bei einem pKanalMOSFET in SourceSchaltung. Antwort: Falsch In einer gegebenen Schaltung kann ein nKanalMOSFET durch einen pKanalMOSFET ersetzt werden. Antwort: Falsch Made with nCreator - tiplanet.org
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