conducteurintrinseque
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Catégorie :Category: nCreator TI-Nspire
Auteur Author: salahhh93@hotmail.fr
Type : Classeur 3.0.1
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Mis en ligne Uploaded: 16/02/2013 - 02:32:22
Uploadeur Uploader: salahhh93@hotmail.fr (Profil)
Téléchargements Downloads: 184
Visibilité Visibility: Archive publique
Shortlink : http://ti-pla.net/a11250
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Description
Fichier Nspire généré sur TI-Planet.org.
Compatible OS 3.0 et ultérieurs.
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Semi-conducteur intrinséque definition: Il s'agit de semi conducteur sans defaut de cristalisation et ne possedant "aucun" atome etranger. Les semi conducteurs les plus importants sont le germanium(Eg=0.7eV) et le silicium(Eg=1eV). ces semi conducteur possede un atome etranger pour 100 milliard atome de cristal exemple: germanium Ge appartient à la 14ème colonne de la classification périodique soit 4 électrons périphérique Ge doit donc réaliser 4 liaisons covalentes pour se stabiliser mouvement des e: Lorsque la température est suffisante pour permettre a quelques électrons de valence de passer de la borne de valence a la borne de conduction, alors la circulation dun courant électrique est possible. A 27°C lagitation thermique provoque la rupture de 3 liaisons sur 10^13 liaisons Latome de germanium ayant perdu un électron de valence possède alors une charge +e et devient alors un cation Ge+ Lion Ge+ alors instable (règle de loctet) va saccaparer un électron dès que possible pour reformer sa liaison manquante, on parle de recombinaison électron trou. Cette recombinaison produit un déplacement des trous comme indiqué sur le schéma. On constate que les concentrations en trou et en électron dans un semi conducteur intrinsèque sont egales ni=pi=A(T^3/2)exp(-Eg/2kT) 2)Conduction Les électrons sont mis en mvt sous l effet dun champ électrique E, les trous auront le même mvt mais en sens inverse et a des vitesses différentes du fait de leur mobilité différente. Vp<Vn Vn=¼n*E Vp=¼p*E ou ¼p mobilité du trou ¼p<¼n Calcul de la conductivité ³=³p+³n=¼p*pi*e + ¼n*ni*abs(-e)=¼p*e*ni + ¼n*e*ni= ni*e*(³p+³n) ni=pi=A(T^3/2)exp(-Ef/kT) avec Ef=Eg/2 NRJ de Ferma
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Semi-conducteur intrinséque definition: Il s'agit de semi conducteur sans defaut de cristalisation et ne possedant "aucun" atome etranger. Les semi conducteurs les plus importants sont le germanium(Eg=0.7eV) et le silicium(Eg=1eV). ces semi conducteur possede un atome etranger pour 100 milliard atome de cristal exemple: germanium Ge appartient à la 14ème colonne de la classification périodique soit 4 électrons périphérique Ge doit donc réaliser 4 liaisons covalentes pour se stabiliser mouvement des e: Lorsque la température est suffisante pour permettre a quelques électrons de valence de passer de la borne de valence a la borne de conduction, alors la circulation dun courant électrique est possible. A 27°C lagitation thermique provoque la rupture de 3 liaisons sur 10^13 liaisons Latome de germanium ayant perdu un électron de valence possède alors une charge +e et devient alors un cation Ge+ Lion Ge+ alors instable (règle de loctet) va saccaparer un électron dès que possible pour reformer sa liaison manquante, on parle de recombinaison électron trou. Cette recombinaison produit un déplacement des trous comme indiqué sur le schéma. On constate que les concentrations en trou et en électron dans un semi conducteur intrinsèque sont egales ni=pi=A(T^3/2)exp(-Eg/2kT) 2)Conduction Les électrons sont mis en mvt sous l effet dun champ électrique E, les trous auront le même mvt mais en sens inverse et a des vitesses différentes du fait de leur mobilité différente. Vp<Vn Vn=¼n*E Vp=¼p*E ou ¼p mobilité du trou ¼p<¼n Calcul de la conductivité ³=³p+³n=¼p*pi*e + ¼n*ni*abs(-e)=¼p*e*ni + ¼n*e*ni= ni*e*(³p+³n) ni=pi=A(T^3/2)exp(-Ef/kT) avec Ef=Eg/2 NRJ de Ferma
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