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Catégorie :Category: mViewer GX Creator App HP-Prime
Auteur Author: 1redkiller1
Type : Application
Page(s) : 65
Taille Size: 2.77 Mo MB
Mis en ligne Uploaded: 21/04/2017
Mis à jour Updated: 21/04/2017
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Visibilité Visibility: Archive publique
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Description 

1. AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA
SEÑAL CON TRANSISTORES FET

Tiempo de clase: 2 horas

Profesor: Ing. Wilson Pavón, MSc.
Email: wpavon@gmail.com



20/04/2017 EAI, Ing. Wilson Pavón Msc. 1
CONTENIDO DE LA CLASE

1. AMPLIFICADORES DE
PEQUEÑA SEÑAL CON
TRANSISTORES FET
1.3 Modelado del transistor FET:
parámetros híbridos y modelo
equivalente.
1.4 Amplificadores con FET: gate
común, source común y drain común.




20/04/2017 EAI, Ing. Wilson Pavón Msc. 2
OBJETIVO DE LA CLASE

• Aprender el modelado del
transistor FET, así como sus
parámetros híbridos y modelo
equivalente.
• Revisar los conceptos de
amplificadores con FET,
incluyendo las configuraciones
gate común, source común y drain
común.



20/04/2017 EAI, Ing. Wilson Pavón Msc. 3
Expositor: Ing. Wilson Pavón, MSc.
Email: wpavon@ups.edu.ec




Transistores de efecto
de campo



20/04/2017 EAI, Ing. Wilson Pavón Msc. 4
BJT Y FET

• Las diferencias principales entre los dos tipos
de transistor radican en el hecho de que: El
transistor BJT es un dispositivo controlado por
corriente, en tanto que el transistor JFET es un
dispositivo controlado por voltaje




20/04/2017 EAI, Ing. Wilson Pavón Msc. 5
CARACTERÍSTICAS DEL FET

• Uno de las características más importantes del
FET es su alta impedancia de entrada.
• Las ganancias de voltaje de ca típicas para
amplificadores de BJT son mucho mayores que
para los FET.
• Los FET son más estables a la temperatura que
los BJT.
• Los BJT son más pequeños lo que los hace
particularmente útiles en chips de circuitos
integrados (CI).
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JFET TIPO N




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TIPOS DE FET

• El transistor de efecto de campo de unión (JFET)
• El transistor de efecto de campo semiconductor
de óxido metálico (MOSFET)
• el transistor de efecto de campo semiconductor
metálico (MESFET).
• La categoría MOSFET se divide: empobrecimiento
y enriquecimiento


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JFET TIPO N




20/04/2017 EAI, Ing. Wilson Pavón Msc. 9
JFET TIPO N, VGS<0 V



Resistor controlado por voltaje




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CARACTERÍSTICA DE TRANSFERENCIA




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SÍMBOLOS JFET




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REGIÓN DE OPERACIÓN




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CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA




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CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA




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EJEMPLO POLARIZACIÓN FIJA




20/04/2017 EAI, Ing. Wilson Pavón Msc. 16
EJEMPLO POLARIZACIÓN FIJA




20/04/2017 EAI, Ing. Wilson Pavón Msc. 17
CONFIGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN




20/04/2017 EAI, Ing. Wilson Pavón Msc. 18
CONFIGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN




20/04/2017 EAI, Ing. Wilson Pavón Msc. 19
EJEMPLO AUTOPOLARIZACIÓN




20/04/2017 EAI, Ing. Wilson Pavón Msc. 20
EJEMPLO AUTOPOLARIZACIÓN




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OTRAS POLARIZACIONES

• POLARIZACIÓN POR MEDIO DEL DIVISOR DE
VOLTAJE
• CONFIGURACIÓN EN COMPUERTA COMÚN




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MODELO DEL JFET DE SEÑAL PEQUEÑA

• Los amplificadores con transistores de efecto
de campo proporcionan una excelente
ganancia de voltaje con la ventaja adicional de
una alta impedancia de entrada.
• Bajo consumo de potencia.
• Mientras que el BJT tiene un factor de
amplificación b (beta) el FET tiene un factor de
transconductancia, gm.

20/04/2017 EAI, Ing. Wilson Pavón Msc. 23
AMPLIFICADORES CON FET




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DETERMINACIÓN GRÁFICA




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DETERMINACIÓN MATEMÁTICA




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IMPEDANCIAS




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Circuito equivalente de ca de un JFET




20/04/2017 EAI, Ing. Wilson Pavón Msc. 28
Circuito equivalente de ca de un JFET




20/04/2017 EAI, Ing. Wilson Pavón Msc. 29
CONFIGURACIÓN DEL DIVISOR DE VOLTAJE




20/04/2017 EAI, Ing. Wilson Pavón Msc. 30
CONFIGURACIÓN DEL DIVISOR DE VOLTAJE




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BIBLIOGRAFÍA

[1] R. Boylestad, “Introducción al análisis de Circuitos”, Editorial
Prentice Hall Hispanoamérica S. A., Décima Edición, 2011.




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