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Catégorie :Category: mViewer GX Creator Lua TI-Nspire
Auteur Author: allyson.lages
Type : Classeur 3.6
Page(s) : 7
Taille Size: 692.95 Ko KB
Mis en ligne Uploaded: 12/07/2019 - 13:18:21
Mis à jour Updated: 12/07/2019 - 13:22:02
Uploadeur Uploader: allyson.lages (Profil)
Téléchargements Downloads: 1
Visibilité Visibility: Archive publique
Shortlink : http://ti-pla.net/a2269601

Description 

Universidade Federal do Maranhão
CCET - Centro de Ciências Exatas e Tecnologia
DEE - Departamento de Engenharia de Eletricidade
Disciplina: 0109 – Eletrônica de Potência
Professora: Silvangela Lilian Barcelos
Aluno(a) ___________________________________Nota:__________

Gab_Av1
Questão 1: Para o retificador monofásico mostrado na Fig. 1, com os valores: V2=220V (tensão eficaz no
enrolamento secundário), N1/N2=0,2, R= 10Ω, L=500mH. Pede-se (3 pontos): (a) Descreva os efeitos da
inserção do transformador na operação deste circuito retificador. (b) Desenhe as formas de onda da
tensão e corrente na carga, da tensão e corrente no primário do transformador e das correntes de
condução dos diodos deste circuito retificador. (c) Desprezando os efeitos da inserção do transformador
no circuito, determine a tensão média na carga; e a potência aparente do transformador.




Fig. 1.
Main : Graphs
Vo Icarga
0.090
y




-0.010
V1 V2
2.00
1.50
1.00
0.50
0.00
y




-0.50
-1.00
-1.50
-2.00
Ia2 Ia1
0.0060
0.0040
0.0020
0.0000
y




-0.0020
-0.0040
-0.0060
Id3 Id2
0.0060
0.0050
0.0040
0.0030
0.0020
y




0.0010
0.0000
-0.0010
Id4 Id1
0.0060
0.0050
0.0040
0.0030
0.0020
y




0.0010
0.0000
-0.0010
0.4450 0.4500 0.4550 0.4600 0.4650 0.4700 0.4750 0.4800 0.4850 ...
...
...


Questão 2: Para o circuito mostrado na Figura 2, em que: V21=√2 220sen(wt)V, f = 60Hz. Diodo 1 (D1)=
diodo 2 (D2)=SKN20/04, rT = 11mΩ, V(T0) = 0,85V, Rthjc=2℃ /W, Rthcd=1℃ /W e Ta=30℃ Pede-se: As formas
de onda da tensão e corrente na carga, a corrente média na carga, a corrente média no diodo D1 e no
diodo de roda livre para os valores de R=10Ω, L=0H e E=+100V. (2 pontos)
Fig. 2




Main : Graphs
V1
0.40
y




-0.40
Vo
0.325
y




0.075
Io
0.0225
y




-0.0025
Id2
2.00
y




-2.00
0.000 0.020 0.040 0.060 0.080 0.100 0.120 ...
...
...
Questão 3: (a) Para o circuito mostrado na Figura 2, considere L=600mH e R=5 Ω, calcule a resistência
térmica do dissipador do diodo 2 (diodo de roda livre), sabendo que a temperatura resultante da junção
é de 180℃. Para este mesmo circuito, considere que seja retirado o diodo 2(diodo de roda livre), esboce
as formas de onda da tensão e corrente na carga e calcule o valor médio da tensão na carga (O ângulo
de extinção da condução de corrente para este caso é de 232°). (3 pontos)


Main : Graphs
V1
0.40
y




-0.40
Vo
0.350
y




-0.050
Io
0.0016
y




-0.0002
Id2
0.0014
y




-0.0002
0.060 0.070 0.080 0.090 0.100 0.110 0.120 ...
...
...
Impossibilidade de calcular a resistência térmica do diodo 2- questão com informações insuficientes. Item
anulado, os pontos serão transferidos para o item abaixo da questão.

Para este mesmo circuito, considere que seja retirado o diodo 2(diodo de roda livre), esboce as formas de
onda da tensão e corrente na carga e calcule o valor médio da tensão na carga (O ângulo de extinção da
°
condução de corrente para este caso é de 232Main). (3: pontos)
Graphs
V1
0.40
y




-0.40
Vo
0.40
0.30
0.20
0.10
0.00
y




-0.10
-0.20
-0.30
Io
0.0016
y




-0.0002
0.120 0.140 0.160 0.180 0.200 0.220 0.240 0.260 ...
...
Possibilidade de solução ...




Questão 4: Assinale as sentenças abaixo como verdadeiras (V) ou falsas (F) de acordo com as
características de algumas chaves semicondutoras de potência. (2 pontos)
a. ( V ) A comutação de uma chave semicondutora pode ser controlada (comutação controlada:
disparo controlado ou bloqueio controlado) ou não (comutação espontânea: disparo espontâneo
ou bloqueio espontâneo);
b. ( F ) O tiristor pode ser disparado por pulso de corrente de gatilho, taxa de crescimento da
corrente anodo catodo, aumento de temperatura, por luz ou radiação, mas diferentemente de
outras chaves, não conduz quando uma tensão VBO elevada é aplicada aos seus terminais);
c. ( V ) São características desejáveis de chaves semicondutoras de potência controladas: bloqueio
de tensões reversas e diretas quando estão bloqueadas; condução de correntes elevadas com
queda de tensão zero quando em condução, chaveamento instantâneo e mínimos requisitos de
potência para disparo .
d. ( F ) O tempo de recuperação reversa e o tempo de desligamento são parâmetros importantes
para o projeto e análise de circuitos baseados em chaves semicondutoras de potência.

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704.80 Ko KB gabavp1_.tns

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